登录 / 注册

产品

输入型号/关键词

RN1102,LF(CT备选型号: RN1107,LF(CT

隐藏公共属性
型号:
品牌:
描述:
工厂交货时间
底架
安装类型
包装/外壳
包装
已出版
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
最大功率耗散
极性
晶体管类型
集电极发射器电压(VCEO)
最大集电极电流
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
最大集极截止电流
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
最大击穿电压
频率转换
发射极基极电压 (VEBO)
电阻基(R1)
连续集电极电流
电阻-发射极基极(R2)
RoHS状态
供应商器件包装
功率 - 最大
电压 - 集射极击穿（最大值）

RN1102,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor

12 Weeks
表面贴装
表面贴装
SC-75, SOT-416
50V
Tape & Reel (TR)
2014
活跃
1 (Unlimited)
100mW
NPN
NPN - Pre-Biased
300mV
100mA
50 @ 10mA 5V
500nA
300mV @ 250μA, 5mA
50V
250MHz
10V
10 k Ω
100mA
10 k Ω
符合RoHS标准
-
-
-
RN1107,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor

16 Weeks
表面贴装
表面贴装
SC-75, SOT-416
50V
Cut Tape (CT)
2014
活跃
1 (Unlimited)
100mW
NPN
NPN - Pre-Biased
300mV
100mA
80 @ 10mA 5V
500nA
300mV @ 250μA, 5mA
50V
250MHz
6V
10 kOhms
100mA
47 kOhms
符合RoHS标准
SSM
100mW
50V
添加型号

分立半导体产品相关产品

图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	DTC143EETL	ROHM Semiconductor	晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置	SC-75, SOT-416	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3	对比
	RN1107,LF(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置	SC-75, SOT-416	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor	对比