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首页 全部分类 RN1104MFV,L3F vs 2SCR523MT2L

RN1104MFV,L3F备选型号: 2SCR523MT2L

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  • 最大击穿电压
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  • 电阻-发射极基极(R2)
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN1104MFV,L3F
    Toshiba Semiconductor and Storage
    TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-723
    50V
    Cut Tape (CT)
    2011
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    150mW
    150mW
    NPN - Pre-Biased
    300mV
    100mA
    80 @ 10mA 5V
    500nA
    300mV @ 500μA, 5mA
    50V
    47 k Ω
    47 k Ω
    符合RoHS标准
    -
    -
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  • ROHM Semiconductor
    2SCR523MT2L
    ROHM Semiconductor
    TRANS NPN 50V 0.1A VMT3
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-723
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    150mW
    NPN
    50V
    100mA
    120 @ 1mA 6V
    100nA ICBO
    300mV @ 5mA, 50mA
    50V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    3
    SILICON
    100mV
    350MHz
    150°C TJ
    e2
    yes
    3
    EAR99
    8541.21.00.75
    DUAL
    FLAT
    260
    10
    不合格
    Single
    SWITCHING
    NPN
    350MHz
    50V
    5V
    无铅
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