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1

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10

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500

￥0.244047
1000

￥0.230232

Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV,L3F

Name: RN1104MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-RN1104MFV,L3F
Price: 0.29 USD
Availability: InStock
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对比

型号

RN1104MFV,L3F

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-RN1104MFV,L3F

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

封装

SOT-723

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

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RN1104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

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Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV,L3F重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

16 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SOT-723
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
包装

Cut Tape (CT)
已出版

2011
零件状态

Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最大功率耗散

150mW
功率 - 最大

150mW
晶体管类型

NPN - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)

300mV
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 10mA 5V
最大集极截止电流

500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500μA, 5mA
最大击穿电压

50V
电阻基(R1)

47 k Ω
电阻-发射极基极(R2)

47 k Ω
RoHS状态

符合RoHS标准

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RN1104MFV,L3F拓展信息

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