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RN1409,LF备选型号: RN1414,LF

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供应商器件包装
包装
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
最大功率耗散
极性
功率 - 最大
晶体管类型
集电极发射器电压(VCEO)
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
最大集极截止电流
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
电压 - 集射极击穿（最大值）
频率转换
发射极基极电压 (VEBO)
电阻基(R1)
连续集电极电流
电阻-发射极基极(R2)
RoHS状态

RN1409,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor

12 Weeks
表面贴装
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
S-Mini
100mA
Cut Tape (CT)
Discontinued
1 (Unlimited)
200mW
NPN
200mW
NPN - Pre-Biased
50V
70 @ 10mA 5V
500nA
300mV @ 250μA, 5mA
50V
250MHz
15V
47 kOhms
100mA
22 kOhms
符合RoHS标准
RN1414,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor

12 Weeks
表面贴装
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
-
100mA
Tape & Reel (TR)
活跃
1 (Unlimited)
200mW
NPN
-
NPN - Pre-Biased
50V
50 @ 10mA 5V
500nA
300mV @ 250μA, 5mA
-
250MHz
5V
1 k Ω
100mA
10 k Ω
符合RoHS标准
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图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	RN1414,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor	对比