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RN1441ATE85LF备选型号: RN1442ATE85LF

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安装类型
包装/外壳
供应商器件包装
包装
已出版
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
最大功率耗散
极性
元素配置
功率 - 最大
晶体管类型
集电极发射器电压(VCEO)
最大集电极电流
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
最大集极截止电流
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
电压 - 集射极击穿（最大值）
最大击穿电压
频率转换
发射极基极电压 (VEBO)
电阻基(R1)
连续集电极电流
RoHS状态
引脚数

RN1441ATE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 300mA IC 20V VCEO

表面贴装
表面贴装
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
S-Mini
20V
Cut Tape (CT)
2014
Obsolete
1 (Unlimited)
200mW
NPN
Single
200mW
NPN - Pre-Biased
100mV
300mA
200 @ 4mA 2V
100nA ICBO
100mV @ 3mA, 30mA
20V
20V
30MHz
25V
5.6 kOhms
300mA
符合RoHS标准
-
RN1442ATE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Trans Digital BJT NPN 20V 300mA 3-Pin S-Mini T/R

表面贴装
表面贴装
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
S-Mini
20V
Cut Tape (CT)
2014
Obsolete
1 (Unlimited)
200mW
NPN
Single
200mW
NPN - Pre-Biased
20V
300mA
200 @ 4mA 2V
100nA ICBO
100mV @ 3mA, 30mA
20V
20V
30MHz
25V
10 kOhms
300mA
符合RoHS标准
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