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首页 全部分类 RN2310,LF vs DTC143TUAT106

RN2310,LF备选型号: DTC143TUAT106

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  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 最大输出电流
  • 工作电源电压
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 转换频率
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN2310,LF
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin USM Embossed T/R
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    3
    USM
    28.009329mg
    50V
    Cut Tape (CT)
    2014
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    100mW
    PNP
    Single
    100mW
    PNP - Pre-Biased
    300mV
    100mA
    120 @ 1mA 5V
    100nA ICBO
    300mV @ 250μA, 5mA
    50V
    50V
    200MHz
    -50V
    -5V
    4.7 kOhms
    -100mA
    900μm
    2mm
    1.25mm
    符合RoHS标准
    -
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    -
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    -
  • ROHM Semiconductor
    DTC143TUAT106
    ROHM Semiconductor
    TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    3
    -
    -
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2009
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    200mW
    NPN
    Single
    -
    NPN - Pre-Biased
    50V
    100mA
    100 @ 1mA 5V
    500nA
    150mV @ 250μA, 5mA
    -
    50V
    250MHz
    -
    5V
    4.7 k Ω
    100mA
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    e1
    yes
    3
    SMD/SMT
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BUILT-IN BIAS RESISTOR
    8541.21.00.75
    50V
    DUAL
    鸥翼
    260
    100mA
    10
    DTC143
    3
    100mA
    50V
    200mW
    SWITCHING
    250MHz
    无SVHC
    无
    无铅
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RN2312(TE85L,F) RN2312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 SC-70, SOT-323 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin USM T/R 对比
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