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首页 全部分类 RN2310,LF vs RN2312(TE85L,F)

RN2310,LF备选型号: RN2312(TE85L,F)

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  • 最大击穿电压
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  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 辐射硬化
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN2310,LF
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin USM Embossed T/R
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    3
    USM
    28.009329mg
    50V
    Cut Tape (CT)
    2014
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    100mW
    PNP
    Single
    100mW
    PNP - Pre-Biased
    300mV
    100mA
    120 @ 1mA 5V
    100nA ICBO
    300mV @ 250μA, 5mA
    50V
    50V
    200MHz
    -50V
    -5V
    4.7 kOhms
    -100mA
    900μm
    2mm
    1.25mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN2312(TE85L,F)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin USM T/R
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    3
    -
    -
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    100mW
    PNP
    Single
    -
    PNP - Pre-Biased
    50V
    100mA
    120 @ 1mA 5V
    100nA ICBO
    300mV @ 250μA, 5mA
    -
    50V
    200MHz
    -
    -
    22 k Ω
    -100mA
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    RN231*
    100mW
    无
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
RN2312(TE85L,F) RN2312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 SC-70, SOT-323 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin USM T/R 对比
DTA015TUBTL DTA015TUBTL ROHM Semiconductor 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 SC-85 TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F 对比
DTA043TUBTL DTA043TUBTL ROHM Semiconductor 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 SC TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F 对比