RN2502(TE85L,F)备选型号: DTA023YEBTL

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  • ECCN 代码
  • 最高工作温度
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  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
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  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 最高频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • RoHS状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 输出电压
  • 晶体管应用
  • 转换频率
  • 频率转换
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-74A, SOT-753
    5
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    150°C
    -55°C
    300mW
    PNP
    Dual
    2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
    300mV
    100mA
    50 @ 10mA 5V
    100nA ICBO
    300mV @ 250μA, 5mA
    200MHz
    50V
    50V
    10V
    10k Ω
    100mA
    10k Ω
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-89, SOT-490
    -
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    150°C
    -
    150mW
    PNP
    Single
    PNP - Pre-Biased
    150mV
    100mA
    35 @ 5mA 10V
    -
    150mV @ 500μA, 5mA
    250MHz
    50V
    -
    -
    2.2 k Ω
    -100mA
    10 k Ω
    ROHS3 Compliant
    29.993795mg
    SILICON
    3
    BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.5
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F3
    -70mV
    SWITCHING
    250MHz
    250MHz
    无铅
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