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首页 全部分类 RPI-0352E vs TCST2103

RPI-0352E备选型号: TCST2103

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  • 输出电流
  • 输出功率
  • 正向电流
  • 上升时间
  • 正向电压
  • 下降时间（典型值）
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 反向击穿电压
  • 输入电流
  • 反向电压(直流电)
  • 电流传输比
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    RPI-0352E
    ROHM Semiconductor
    SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS MODUL
    12 Weeks
    通孔
    表面贴装
    Module, Slotted
    30V
    -30°C~85°C
    Cut Tape (CT)
    2013
    活跃
    3 (168 Hours)
    1
    Phototransistor
    晶体管输出槽式开关
    10μs
    920μA
    3mm
    0.035A
    Through-Beam
    30V
    10mA
    500nA
    3mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Vishay Semiconductor Opto Division
    TCST2103
    Vishay Semiconductor Opto Division
    VISHAY - TCST2103 - SENSOR, OPTICAL, PHOTOTRANSISTOR O/P
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    Slotted Module, 4-Lead Dual Row
    70V
    -55°C~85°C
    Tube
    2001
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    Phototransistor
    -
    10μs, 8μs
    100mA
    3.1mm
    -
    Through-Beam
    -
    60mA
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Silver
    4
    Unamplified
    85°C
    -55°C
    1.25V
    70V
    100mA
    1
    250mW
    100mA
    100mW
    60mA
    10μs
    1.25V
    8 μs
    70V
    70V
    6V
    60mA
    6V
    20 %
    10.8mm
    24.5mm
    6.3mm
    无SVHC
    无
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