TCST2103
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Vishay Semiconductor Opto Division TCST2103

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型号

TCST2103

utmel 编号

2161-TCST2103

商品类别

光学传感器 - 光电遮断器 - 槽型 - 晶体管输出

封装

Slotted Module, 4-Lead Dual Row

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

VISHAY - TCST2103 - SENSOR, OPTICAL, PHOTOTRANSISTOR O/P

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TCST2103 Vishay Semiconductor Opto Division VISHAY - TCST2103 - SENSOR, OPTICAL, PHOTOTRANSISTOR O/P

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TCST2103详情

Vishay Semiconductor Opto Division TCST2103重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 触点镀层

    Silver

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    Slotted Module, 4-Lead Dual Row

  • 引脚数

    4

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    70V

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    4mA

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    -55°C~85°C

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2001

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 类型

    Unamplified

  • 最高工作温度

    85°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    1.25V

  • 输出电压

    70V

  • 最大输出电流

    100mA

  • 通道数量

    1

  • 输出配置

    Phototransistor

  • 功率耗散

    250mW

  • 输出电流

    100mA

  • 输出功率

    100mW

  • 正向电流

    60mA

  • 回应时间

    10μs, 8μs

  • 上升时间

    10μs

  • 正向电压

    1.25V

  • 下降时间(典型值)

    8 μs

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    70V

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 感应距离

    3.1mm

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    70V

  • 反向击穿电压

    6V

  • 感测方法

    Through-Beam

  • 最大直流驱动电流(If)

    60mA

  • 输入电流

    60mA

  • 反向电压(直流电)

    6V

  • 电流传输比

    20 %

  • 高度

    10.8mm

  • 长度

    24.5mm

  • 宽度

    6.3mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和Vishay Semiconductor Opto Division & TCST2103相似的参数规格。

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TCST2103拓展信息

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公司资质

ISO13485
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DUNS