RQ1A060ZPTR备选型号: DMC1017UPD-13
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 系列
- 最大功率耗散
- 场效应管特性
- MOSFET P-CH 12V 6A TSMT820 Weeks表面贴装表面贴装8-SMD, Flat Lead8SILICON6A Ta150°C TJDigi-Reel®2012e2yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Tin/Copper (Sn/Cu)DUAL2601081Single增强型MOSFET12 nsP-ChannelSWITCHING23m Ω @ 6A, 4.5V1V @ 1mA2800pF @ 6V34nC @ 4.5V105ns12V±10V230 ns6A10V6A0.023Ohm-12V24A无ROHS3 Compliant无铅----
- MOSFET Enh FET 12Vdss 8Vgss 20V Complementary-表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-13A Ta 9.4A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e3-Obsolete1 (Unlimited)-EAR99Matte Tin (Sn)-未说明未说明-2---N and P-Channel Complementary-17m Ω @ 11.8A, 4.5V, 32m Ω @ 8.9A, 4.5V1.5V @ 250μA1787pF @ 6V 2100pF @ 6V18.6nC @ 4.5V, 23.7nC @ 4.5V-12V--6.9A8V-----ROHS3 Compliant-95.991485mgAutomotive, AEC-Q1012.3WStandard
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MCH6336-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-SMD, Flat Leads | MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6 | 对比 | |
| MCH6320-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-SMD, Flat Leads | MOSFET P-CH 12V 3.5A MCPH6 | 对比 | |
![]() | DMC1017UPD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerTDFN | MOSFET Enh FET 12Vdss 8Vgss 20V Complementary | 对比 |



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