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首页 全部分类 RQ3E100BNTB vs FDS6680A

RQ3E100BNTB备选型号: FDS6680A

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  • 无铅代码
  • 终端
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  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    RQ3E100BNTB
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    1
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    7.7mOhm
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    10.4m Ω @ 10A, 10V
    2.5V @ 1mA
    1100pF @ 15V
    22nC @ 10V
    30V
    ±20V
    10A
    2.5V
    40A
    30V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS6680A
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    12.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    9.5MOhm
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    9.5m Ω @ 12.5A, 10V
    3V @ 250μA
    1620pF @ 15V
    23nC @ 5V
    -
    ±20V
    12.5A
    2V
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    Tin
    130mg
    PowerTrench®
    e4
    yes
    SMD/SMT
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    逻辑电平兼容
    30V
    12.5A
    Single
    2.5W
    10 ns
    5ns
    15 ns
    20V
    30V
    30V
    28 ns
    2 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无
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