您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 RQ3E150BNTB vs BSZ050N03LSGATMA1

RQ3E150BNTB备选型号: BSZ050N03LSGATMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 系列
  • 无铅代码
  • 附加功能
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ROHM Semiconductor
    RQ3E150BNTB
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    15A Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    5.3m Ω @ 15A, 10V
    2.5V @ 1mA
    3000pF @ 15V
    45nC @ 10V
    30V
    ±20V
    15A
    0.0074Ohm
    60A
    30V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSZ050N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin TSDSON
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    16A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    无铅
    未说明
    -
    未说明
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    5m Ω @ 20A, 10V
    2.2V @ 250μA
    2800pF @ 15V
    35nC @ 10V
    -
    ±20V
    16A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    Tin
    OptiMOS™
    no
    AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
    8
    不合格
    50W
    无卤素
    4ns
    20V
    30V
    40A
    70 mJ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRFHM8326TRPBF IRFHM8326TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 25A PQFN 对比
BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03LSGATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin TSDSON 对比
FDMS0312S FDMS0312S ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET, N CH, 30V, 42A, POWER 56 - More Details 对比