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首页 全部分类 RQ6C050UNTR vs FDC637BNZ

RQ6C050UNTR备选型号: FDC637BNZ

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  • 生命周期状态
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  • 阈值电压
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  • 漏源击穿电压
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  • 栅源电压
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    RQ6C050UNTR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 5A TSMT
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    SILICON
    5A Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-G6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    30m Ω @ 5A, 4.5V
    1V @ 1mA
    900pF @ 10V
    12nC @ 4.5V
    20V
    ±10V
    5A
    5A
    0.038Ohm
    10A
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC637BNZ
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin SuperSOT T/R
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    SILICON
    6.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    24m Ω @ 6.2A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    895pF @ 10V
    12nC @ 4.5V
    -
    ±12V
    6.2A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    6
    36mg
    PowerTrench®
    e3
    yes
    24MOhm
    Tin (Sn)
    1
    Single
    800mW
    8 ns
    6ns
    6 ns
    800mV
    12V
    20V
    150°C
    800 mV
    1.1mm
    无SVHC
    无
    无铅
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