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RQ6E035ATTCR备选型号: CPH3448-TL-W
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- 操作温度
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- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 触点镀层
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 无铅
MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT20 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON3.5A Ta150°C TJCut Tape (CT)2014活跃1 (Unlimited)6EAR9938mOhmDUAL鸥翼未说明not_compliant未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETP-ChannelSWITCHING50m Ω @ 3.5A, 10V2.5V @ 1mA475pF @ 15V10nC @ 10V30V±20V3.5A30VROHS3 Compliant------------
N-Channel Power MOSFET, 30V, 4A, 50mO13 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON4A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2012活跃1 (Unlimited)3--DUAL鸥翼-not_compliant-SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-Channel-50m Ω @ 2A, 4.5V-430pF @ 10V4.7nC @ 4.5V30V±12V4A-ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 day ago)Tine6yes110 ns41ns37 ns12V4A0.05Ohm无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MCH3474-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-SMD, Flat Lead | MOSFET N-CH 30V 4A MCPH3 | 对比 |
| CPH3448-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | N-Channel Power MOSFET, 30V, 4A, 50mO | 对比 |
 | DMG3406L-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 | 对比 |
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