RQ6E045BNTCR备选型号: DMN3404L-7
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 晶体管元件材料
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 场效应管技术
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 电阻
- 附加功能
- 引脚数量
- 资历状况
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT10 Weeks表面贴装SILICON1Cut Tape (CT)2015Discontinued1 (Unlimited)6EAR991.25WDUAL鸥翼未说明not_compliant未说明R-PDSO-G6SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETSWITCHING30VN-CHANNEL4.5A330pFMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR21mOhm30 mΩROHS3 Compliant-----------------------------------
- MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-2315 Weeks表面贴装SILICON5.8A TaTape & Reel (TR)2013活跃1 (Unlimited)3EAR99-DUAL鸥翼260-40--增强型MOSFETSWITCHING--4.2A----ROHS3 CompliantTin表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-337.994566mg-55°C~150°C TJe3yes28mOhmHIGH RELIABILITY3不合格1Single1.4W3.41 nsN-Channel28m Ω @ 5.8A, 10V2V @ 250μA386pF @ 15V9.2nC @ 10V6.18ns±20V6.18 ns1.5V20V5.8A30V150°C1.5 V1.1mm2.9mm1.3mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF9389TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO | 对比 |
![]() | DMG6402LDM-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-26 | 对比 |
![]() | IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3 | 对比 |






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