ROHM Semiconductor RQ6E045BNTCR

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2015

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

1.25W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

4.5A

输入电容

330pF

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

21mOhm

最大rds

30 mΩ

RoHS状态

ROHS3 Compliant