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RRQ030P03TR备选型号: BSL306NH6327XTSA1
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 系列
- 最大功率耗散
- 功率 - 最大
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON3A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2012e1yes不用于新设计1 (Unlimited)6EAR99DUAL鸥翼2601061Single增强型MOSFET7 nsP-ChannelSWITCHING75m Ω @ 3A, 10V2.5V @ 1mA480pF @ 10V12nC @ 10V18ns30V±20V35 ns3A20V3A0.075Ohm-30V无ROHS3 Compliant无铅----------
MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66-8.3 ns-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011-yesObsolete1 (Unlimited)-EAR99--未说明未说明----4.4 ns2 N-Channel (Dual)-57m Ω @ 2.3A, 10V2V @ 11μA275pF @ 15V1.6nC @ 5V2.3ns--1.4 ns2.3A20V----ROHS3 Compliant无铅12 WeeksAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™500mW500mW无卤素30VLogic Level Gate, 4.5V Drive1mm2.9mm1.6mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BSL306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP | 对比 |
 | FDC654P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin SuperSOT T/R | 对比 |
 | DMN3135LVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26 | 对比 |
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