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首页 全部分类 RS1E200BNTB vs IRF8734PBF

RS1E200BNTB备选型号: IRF8734PBF

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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    RS1E200BNTB
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    20A Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    2.8mOhm
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.9m Ω @ 20A, 10V
    2.5V @ 1mA
    3100pF @ 15V
    59nC @ 10V
    30V
    ±20V
    20A
    30V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8734PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    21A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2009
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5m Ω @ 21A, 10V
    2.35V @ 50μA
    3175pF @ 15V
    30nC @ 4.5V
    -
    ±20V
    21A
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®
    Single
    2.5W
    13 ns
    16ns
    8 ns
    20V
    0.0035Ohm
    30V
    30 ns
    1.8 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
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