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首页 全部分类 RS1E280BNTB vs FDMC7660S

RS1E280BNTB备选型号: FDMC7660S

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  • 功率耗散
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    RS1E280BNTB
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    28A Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.3m Ω @ 28A, 10V
    2.5V @ 1mA
    5100pF @ 15V
    94nC @ 10V
    30V
    ±20V
    28A
    0.0032Ohm
    112A
    30V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMC7660S
    ON Semiconductor
    MOSFET, N CH, 30V, 40A, POWER 33 - More Details
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    20A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    -
    -
    -
    -
    S-PDSO-N5
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.2m Ω @ 20A, 10V
    2.5V @ 1mA
    4325pF @ 15V
    66nC @ 10V
    -
    ±20V
    20A
    -
    200A
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    32.13mg
    PowerTrench®, SyncFET™
    e3
    yes
    2.5MOhm
    Tin (Sn)
    Single
    2.3W
    14 ns
    5ns
    3.9 ns
    MO-240BA
    20V
    40A
    30V
    1.05mm
    3.3mm
    3.3mm
    无
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