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首页 全部分类 RS1E280BNTB vs FDMS8560S

RS1E280BNTB备选型号: FDMS8560S

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  • 元素配置
  • 功率耗散
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    RS1E280BNTB
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    28A Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.3m Ω @ 28A, 10V
    2.5V @ 1mA
    5100pF @ 15V
    94nC @ 10V
    30V
    ±20V
    28A
    0.0032Ohm
    112A
    30V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS8560S
    ON Semiconductor
    MOSFET 25/12V Dual Cool PowerTrench MOSFET
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    30A Ta 70A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    -
    R-PDSO-F5
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.8m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 1mA
    4350pF @ 13V
    68nC @ 10V
    -
    ±12V
    35A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
    90mg
    PowerTrench®, SyncFET™
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    超低电阻
    Single
    2.5W
    13 ns
    6ns
    5 ns
    MO-240AA
    12V
    70A
    25V
    79 mJ
    1.05mm
    5.1mm
    5.85mm
    无
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