RS1G300GNTB备选型号: FDMD8240LET40
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 质量
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 阈值电压
- 场效应管特性
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP20 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON30A Ta150°C TJCut Tape (CT)2014活跃1 (Unlimited)5EAR99DUALFLAT未说明not_compliant未说明R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING2.5m Ω @ 30A, 10V2.5V @ 1mA4230pF @ 20V56.8nC @ 10V40V±20V30A0.003Ohm120A40V136 mJROHS3 Compliant------------
- MOSFET 2N-CH 40V 24A POWER3.3X512 Weeks表面贴装表面贴装12-PowerWDFN12---55°C~175°C TJCut Tape (CT)-活跃1 (Unlimited)-EAR99--260not_compliant未说明----2 N-Channel (Dual)-2.6m Ω @ 23A, 10V3V @ 250μA4230pF @ 20V56nC @ 10V40V-24A----ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 week ago)82.3188mgPowerTrench®e3yesTin (Sn)8541.29.00.9550WDual2VStandard无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMD8240LET40 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 12-PowerWDFN | MOSFET 2N-CH 40V 24A POWER3.3X5 | 对比 |


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