RS3E075ATTB备选型号: DMC3018LSD-13
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 质量
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- 功率耗散
- 极性/通道类型
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP20 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON4.5V 10V150°C TJCut Tape (CT)2014活跃1 (Unlimited)8EAR9918mOhmDUAL鸥翼未说明not_compliant未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETP-ChannelSWITCHING23.5m Ω @ 7.5A, 10V2.5V @ 1mA1250pF @ 15V25nC @ 10V30V±20V-7.5A-2.5V30A30V4.2 mJ无SVHCROHS3 Compliant-----------------
- MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC21 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON9.1A 6A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011Obsolete1 (Unlimited)8EAR99-DUAL鸥翼260-40-增强型MOSFETN and P-ChannelSWITCHING20m Ω @ 6.9A, 10V2.1V @ 250μA631pF @ 15V12.4nC @ 10V30V-6A--30V-无SVHCROHS3 Compliant850.995985mge3yesMatte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY2.5W82.5WN-CHANNEL AND P-CHANNEL20V9.1AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1.5mm5.3mm4.1mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN3033LSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC | 对比 |
![]() | DMC3018LSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC | 对比 |



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