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首页 全部分类 RSD046P05TL vs IRFR5505TRPBF

RSD046P05TL备选型号: IRFR5505TRPBF

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  • 操作温度
  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 系列
  • 终端
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    RSD046P05TL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 45V 4.5A CPT3
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    4.5A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2013
    e2
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin/Copper (Sn98Cu2)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    P-Channel
    SWITCHING
    155m Ω @ 4.5A, 10V
    3V @ 1mA
    550pF @ 10V
    12nC @ 5V
    45V
    ±20V
    4.5A
    0.26Ohm
    45V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR5505TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    18A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    260
    -
    30
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    P-Channel
    SWITCHING
    110m Ω @ 9.6A, 10V
    4V @ 250μA
    650pF @ 25V
    32nC @ 10V
    55V
    ±20V
    -18A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    Tin
    3
    HEXFET®
    SMD/SMT
    110mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    -55V
    -18A
    1
    Single
    57W
    DRAIN
    12 ns
    28ns
    16 ns
    -4V
    TO-252AA
    20V
    -55V
    64A
    -55V
    77 ns
    150°C
    -4 V
    2.52mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
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IRFR5505GTRPBF IRFR5505GTRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET P-CH 55V 18A DPAK 对比