RSD080P05TL备选型号: IRFR024NTRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 系列
- 终端
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 恢复时间
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- MOSFET P-CH 45V 8A CPT310 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON8A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2011e2不用于新设计1 (Unlimited)2EAR99Tin/Copper (Sn98Cu2)SINGLE鸥翼3R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFET12 nsP-ChannelSWITCHING91m Ω @ 8A, 10V3V @ 1mA11000pF @ 10V93.4nC @ 5V15ns45V±20V20 ns8A20V8A45V无ROHS3 Compliant无铅----------------------
- MOSFET N-CH 55V 17A DPAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON17A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2004e3活跃1 (Unlimited)2EAR99--鸥翼-R-PSSO-G2-1增强型MOSFET4.9 nsN-ChannelSWITCHING75m Ω @ 10A, 10V4V @ 250μA370pF @ 25V20nC @ 10V34ns-±20V27 ns17A20V--无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead FreeTinHEXFET®SMD/SMT75mOhmAVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE55V17ASingle38WDRAIN4VTO-252AA55V68A55V83 ns175°C4 V2.52mm6.7056mm6.22mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMP4025LK3-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET P-CH 40V 6.7A TO252 | 对比 |
![]() | IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET P-CH 55V 31A DPAK | 对比 |




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