Diodes Incorporated DMP4025LK3-13
- 收藏
- 对比
DMP4025LK3-13
671-DMP4025LK3-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
立即发货

MOSFET P-CH 40V 6.7A TO252
--最小包装量--
DMP4025LK3-13详情
Diodes Incorporated DMP4025LK3-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
17 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
3.949996g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.7A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.7W Ta
Turn Off Delay Time
53.7 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
1.8V @ 250μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-G2
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
6.9 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
25m Ω @ 3A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1643pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
33.7nC @ 10V
上升时间
14.7ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
30.9 ns
连续放电电流(ID)
8.6A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6.7A
漏极-源极导通最大电阻
0.045Ohm
漏源击穿电压
-40V
高度
2.26mm
长度
6.7mm
宽度
6.2mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMP4025LK3-13拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated










哦! 它是空的。