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首页 全部分类 RSD100N10TL vs FQD17N08LTM

RSD100N10TL备选型号: FQD17N08LTM

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  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 系列
  • 无铅代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • ROHM Semiconductor
    RSD100N10TL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 10A CPT3
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    10A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e2
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin/Copper (Sn98Cu2)
    鸥翼
    3
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    133m Ω @ 5A, 10V
    2.5V @ 1mA
    700pF @ 25V
    18nC @ 10V
    17ns
    ±20V
    20 ns
    10A
    20V
    100V
    20A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQD17N08LTM
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 80V 12.9A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    12.9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 6.45A, 10V
    2V @ 250μA
    520pF @ 25V
    11.5nC @ 5V
    290ns
    ±20V
    75 ns
    12.9A
    20V
    80V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    260.37mg
    QFET®
    yes
    80V
    12.9A
    2.5W
    DRAIN
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FQD17N08LTM FQD17N08LTM ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 80V 12.9A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R 对比