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首页 全部分类 RSF010P03TL vs NTHD4502NT1

RSF010P03TL备选型号: NTHD4502NT1

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  • 栅源电压
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  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 配置
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • ROHM Semiconductor
    RSF010P03TL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 30V 1A TUMT3
    表面贴装
    表面贴装
    3-SMD, Flat Lead
    3
    SILICON
    1A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    SMD/SMT
    EAR99
    630MOhm
    锡铜
    DUAL
    260
    10
    3
    Single
    增强型MOSFET
    800mW
    8 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    350m Ω @ 1A, 10V
    120pF @ 10V
    1.9nC @ 5V
    11ns
    30V
    ±20V
    11 ns
    1A
    -2.5V
    20V
    1A
    -30V
    -30V
    -2.5 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTHD4502NT1
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e0
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    -
    EAR99
    -
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    -
    240
    30
    8
    -
    增强型MOSFET
    1.13W
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    85m Ω @ 2.9A, 10V
    140pF @ 15V
    7nC @ 10V
    5.4ns
    -
    -
    5.4 ns
    2.2A
    -
    20V
    2.9A
    -20V
    -
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    30V
    640mW
    C 弯管
    not_compliant
    3.9A
    NTHD4502N
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    3V @ 250μA
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    25 pF
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