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首页 全部分类 RSF010P05TL vs IRFL014NTRPBF

RSF010P05TL备选型号: IRFL014NTRPBF

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 配置
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  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 阈值电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ROHM Semiconductor
    RSF010P05TL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 45V 1A TUMT3
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-SMD, Flat Lead
    3
    SILICON
    1A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e2
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Copper (Sn/Cu)
    DUAL
    260
    10
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    6 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    460m Ω @ 1A, 10V
    2.5V @ 1mA
    160pF @ 10V
    2.3nC @ 5V
    4ns
    45V
    ±20V
    6 ns
    1A
    20V
    1A
    0.46Ohm
    -45V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFL014NTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    SILICON
    1.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    -
    DUAL
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    6.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    160m Ω @ 1.9A, 10V
    4V @ 250μA
    190pF @ 25V
    11nC @ 10V
    7.1ns
    -
    ±20V
    3.3 ns
    1.9A
    20V
    2.7A
    -
    55V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®
    160mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    55V
    鸥翼
    1.9A
    R-PDSO-G4
    Single
    2.1W
    DRAIN
    4V
    61 ns
    4 V
    1.4478mm
    6.6802mm
    3.7mm
    无SVHC
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