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首页 全部分类 RSJ300N10TL vs HUF75631S3ST

RSJ300N10TL备选型号: HUF75631S3ST

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 漏源击穿电压
  • ROHM Semiconductor
    RSJ300N10TL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 30A LPTS
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    83
    SILICON
    30A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    鸥翼
    3
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    52m Ω @ 15A, 10V
    2.5V @ 1mA
    2200pF @ 25V
    50nC @ 10V
    65ns
    100V
    ±20V
    180 ns
    30A
    20V
    0.059Ohm
    60A
    4.5mm
    10.1mm
    9mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HUF75631S3ST
    ON Semiconductor
    MOSFET 100V NCh PowerMOSFET UltraFET
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    SILICON
    33A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    9.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 33A, 10V
    4V @ 250μA
    1220pF @ 25V
    79nC @ 20V
    57ns
    -
    ±20V
    55 ns
    33A
    20V
    0.04Ohm
    -
    11.33mm
    10.67mm
    4.83mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    8 Weeks
    1.31247g
    UltraFET™
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    100V
    33A
    120W
    DRAIN
    100V
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HUF75631S3ST HUF75631S3ST ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET 100V NCh PowerMOSFET UltraFET 对比