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RSQ035N03TR备选型号: FDC654P
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 质量
- 系列
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT620 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON3.5A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2006e1yes不用于新设计1 (Unlimited)6SMD/SMTEAR9984mOhmDUAL鸥翼260106Single增强型MOSFET1.25W7 nsN-ChannelSWITCHING62m Ω @ 3.5A, 10V2.5V @ 1mA290pF @ 10V7.4nC @ 5V9ns9 ns3.5A2.5V20V30V14A30V2.5 V无SVHC无ROHS3 Compliant------------
Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin SuperSOT T/R10 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON3.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2017e3yes活跃1 (Unlimited)6-EAR9975MOhmDUAL鸥翼---Single增强型MOSFET1.6W6 nsP-ChannelSWITCHING75m Ω @ 3.6A, 10V3V @ 250μA298pF @ 15V9nC @ 10V13ns13 ns3.6A-1.9V20V-30V---无SVHC无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 2 days ago)36mgPowerTrench®Tin (Sn)-30V-3.6A30V±20V1mm3mm1.7mm无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC658AP | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | In a Pack of 5, P-Channel MOSFET, 4 A, 30 V, 6-Pin SOT-23 ON Semiconductor FDC658AP | 对比 |
| FDC654P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin SuperSOT T/R | 对比 |
 | DMN3135LVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26 | 对比 |
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