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首页 全部分类 RSR020P05TL vs BSR606NH6327XTSA1

RSR020P05TL备选型号: BSR606NH6327XTSA1

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 系列
  • 端子表面处理
  • 功率耗散
  • 无卤素
  • 阈值电压
  • 最大双电源电压
  • 达到SVHC
  • ROHM Semiconductor
    RSR020P05TL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
    表面贴装
    表面贴装
    SC-96
    96
    SILICON
    2A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e1
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PDSO-G3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    8 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 2A, 10V
    3V @ 1mA
    500pF @ 10V
    4.5nC @ 4.5V
    10ns
    45V
    ±20V
    10 ns
    2A
    20V
    2A
    0.28Ohm
    -45V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSR606NH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    59
    -
    2.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    Single
    -
    -
    N-Channel
    -
    60m Ω @ 2.3A, 10V
    2.3V @ 15μA
    657pF @ 25V
    5.6nC @ 5V
    -
    -
    ±20V
    -
    2.3A
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    Tin (Sn)
    500mW
    无卤素
    1.8V
    60V
    无SVHC
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BSR606NH6327XTSA1 BSR606NH6327XTSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59 对比