RT1A040ZPTR备选型号: DMN1032UCB4-7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 引脚数
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 输入电容
- 场效应管技术
- 漏源电阻
- 最大rds
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 附加功能
- 通道数量
- 元素配置
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 漏极-源极导通最大电阻
- MOSFET P-CH 12V 4A TSST8表面贴装81Tape & Reel (TR)2009e2yes不用于新设计1 (Unlimited)8EAR9930MOhm锡铜150°C-55°C1.25WDUALFLAT260108SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET1.25W11 nsSWITCHING70ns12VP-CHANNEL70 ns4A10V4A12V16A2.35nFMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR30mOhm30 mΩ无ROHS3 Compliant无铅---------------
- MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W表面贴装44.8A TaTape & Reel (TR)2015e1-活跃1 (Unlimited)4EAR99-Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)---BOTTOMBALL未说明未说明--增强型MOSFET-3.3 nsSWITCHING5.6ns--9 ns4.8A8V-12V------ROHS3 Compliant-34 Weeks表面贴装4-UFBGA, WLBGASILICON-55°C~150°C TJHIGH RELIABILITY1SingleN-Channel26m Ω @ 1A, 4.5V1.2V @ 250μA450pF @ 6V4.5nC @ 4.5V±8V0.038Ohm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|



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