RT1A045APTCR备选型号: NTHS2101PT1

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  • 安装类型
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  • 晶体管元件材料
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  • 包装
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 12V 4.5A TSST8
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    SILICON
    4.5A Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2012
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    DUAL
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    P-Channel
    SWITCHING
    30m Ω @ 4.5A, 4.5V
    1V @ 1mA
    4200pF @ 6V
    40nC @ 4.5V
    12V
    -8V
    4.5A
    0.03Ohm
    12V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    SILICON
    5.4A Tj
    -
    Tape & Reel (TR)
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    DUAL
    240
    30
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    P-Channel
    SWITCHING
    25m Ω @ 5.4A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    2400pF @ 6.4V
    30nC @ 4.5V
    -
    ±8V
    5.4A
    0.025Ohm
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    OBSOLETE (Last Updated: 14 hours ago)
    8
    e0
    no
    逻辑电平兼容
    -8V
    C 弯管
    not_compliant
    -5.4A
    8
    不合格
    1.3W
    28ns
    28 ns
    8V
    -8V
    7.5A
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