RT1A045APTCR备选型号: NTHS2101PT1
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 引脚数
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- Reach合规守则
- 额定电流
- 引脚数量
- 资历状况
- 功率耗散
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- MOSFET P-CH 12V 4.5A TSST810 Weeks表面贴装表面贴装8-SMD, Flat LeadSILICON4.5A Ta150°C TJCut Tape (CT)2012不用于新设计1 (Unlimited)8EAR99DUAL未说明未说明R-PDSO-F8SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETP-ChannelSWITCHING30m Ω @ 4.5A, 4.5V1V @ 1mA4200pF @ 6V40nC @ 4.5V12V-8V4.5A0.03Ohm12VROHS3 Compliant无铅-----------------
- MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET-表面贴装表面贴装8-SMD, Flat LeadSILICON5.4A Tj-Tape & Reel (TR)2010Obsolete1 (Unlimited)8EAR99DUAL24030-SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETP-ChannelSWITCHING25m Ω @ 5.4A, 4.5V1.5V @ 250μA2400pF @ 6.4V30nC @ 4.5V-±8V5.4A0.025Ohm-Non-RoHS Compliant含铅OBSOLETE (Last Updated: 14 hours ago)8e0no逻辑电平兼容-8VC 弯管not_compliant-5.4A8不合格1.3W28ns28 ns8V-8V7.5A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NTHS2101PT1 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET | 对比 |
| MCH6336-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-SMD, Flat Leads | MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6 | 对比 | |
![]() | DMC1017UPD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerTDFN | MOSFET Enh FET 12Vdss 8Vgss 20V Complementary | 对比 |




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