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首页 全部分类 RTE002P02TL vs DMN26D0UT-7

RTE002P02TL备选型号: DMN26D0UT-7

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 通道数量
  • 阈值电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ROHM Semiconductor
    RTE002P02TL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 0.2A SOT416
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-75, SOT-416
    3
    SILICON
    200mA Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    SMD/SMT
    EAR99
    TIN/TIN COPPER
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    -200mA
    10
    3
    Single
    增强型MOSFET
    150mW
    9 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    1.5 Ω @ 200mA, 4.5V
    2V @ 1mA
    50pF @ 10V
    6ns
    ±12V
    6 ns
    200mA
    12V
    0.2A
    1.6Ohm
    -20V
    20V
    2 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN26D0UT-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-523
    3
    SILICON
    230mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2009
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    -
    40
    3
    Single
    增强型MOSFET
    300mW
    3.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3 Ω @ 100mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    14.1pF @ 15V
    7.9ns
    ±10V
    15.2 ns
    230mA
    10V
    -
    -
    20V
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2.012816mg
    e3
    3Ohm
    HIGH RELIABILITY
    1
    1V
    150°C
    900μm
    1.7mm
    850μm
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