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首页 全部分类 RTE002P02TL vs NTNS3190NZT5G

RTE002P02TL备选型号: NTNS3190NZT5G

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  • 终端形式
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  • 元素配置
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 箱体转运
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • DS 击穿电压-最小值
  • ROHM Semiconductor
    RTE002P02TL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 0.2A SOT416
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-75, SOT-416
    3
    SILICON
    200mA Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    SMD/SMT
    EAR99
    TIN/TIN COPPER
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    -200mA
    10
    3
    Single
    增强型MOSFET
    150mW
    9 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    1.5 Ω @ 200mA, 4.5V
    2V @ 1mA
    50pF @ 10V
    6ns
    ±12V
    6 ns
    200mA
    12V
    0.2A
    1.6Ohm
    -20V
    20V
    2 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTNS3190NZT5G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 0.224A XLLGA3
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    SILICON
    224mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -
    BOTTOM
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.4 Ω @ 100mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    15.8pF @ 15V
    35ns
    ±8V
    110 ns
    224mA
    8V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    e4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
    1
    DRAIN
    0.7nC @ 4.5V
    20V
    20V
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