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首页 全部分类 RTF015N03TL vs MCH3375-TL-W

RTF015N03TL备选型号: MCH3375-TL-W

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  • 元素配置
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • ROHM Semiconductor
    RTF015N03TL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT3
    9 Weeks
    3-SMD, Flat Lead
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    1.5A Ta
    2009
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    240MOhm
    锡铜
    30V
    DUAL
    260
    1.5A
    10
    3
    Single
    增强型MOSFET
    800mW
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    240m Ω @ 1.5A, 4.5V
    1.5V @ 1mA
    80pF @ 10V
    2.2nC @ 4.5V
    9ns
    ±12V
    9 ns
    1.5A
    12V
    30V
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MCH3375-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 30V 1.6A MCPH3
    5 Weeks
    3-SMD, Flat Lead
    表面贴装
    表面贴装
    -
    SILICON
    1.6A Ta
    -
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    -
    DUAL
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    P-Channel
    SWITCHING
    295m Ω @ 800mA, 10V
    2.6V @ 1mA
    82pF @ 10V
    2.2nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    1.6A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    R-PDSO-F3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    30V
    0.295Ohm
    30V
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