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RTQ045N03TR备选型号: FDC645N
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 系列
- 端子表面处理
- 通道数量
- 元素配置
- Vgs（最大值）
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 双电源电压
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 高度
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT620 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON4.5A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2006e1yes不用于新设计1 (Unlimited)6EAR9943MOhm30VDUAL鸥翼2604.5A106SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET1.25W13 nsN-ChannelSWITCHING43m Ω @ 4.5A, 4.5V1.5V @ 1mA540pF @ 10V10.7nC @ 4.5V31ns31 ns4.5A12V30V18AROHS3 Compliant无无铅--------------
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin SuperSOT T/R10 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON5.5A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2001e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR9926MOhm30VDUAL鸥翼-5.5A---增强型MOSFET1.6W8 nsN-ChannelSWITCHING26m Ω @ 6.2A, 10V2V @ 250μA1460pF @ 15V21nC @ 4.5V9ns9 ns5.5A12V30V-ROHS3 Compliant无无铅ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)36mgPowerTrench®Tin (Sn)1Single±12V1.4V0.0055A30V150°C1.4 V1.1mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMP3065LVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 20Vgss 587pF 12.3nC | 对比 |
| FDC610PZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin SuperSOT T/R | 对比 |
| FDC653N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | ON SEMICONDUCTOR - FDC653N - Power MOSFET, N Channel, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Surface Mount | 对比 |
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