ON Semiconductor FDC645N

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

质量

36mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.6W Ta

Turn Off Delay Time

35 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2001

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

26MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

5.5A

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.6W

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

26m Ω @ 6.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1460pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

21nC @ 4.5V

上升时间

9ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

9 ns

连续放电电流(ID)

5.5A

阈值电压

1.4V

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.0055A

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

1.4 V

高度

1.1mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅