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首页 全部分类 RUF025N02TL vs NTHD4N02FT1G

RUF025N02TL备选型号: NTHD4N02FT1G

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 资历状况
  • 配置
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    RUF025N02TL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-SMD, Flat Lead
    3
    SILICON
    2.5A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1999
    e2
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡铜
    DUAL
    260
    10
    3
    Single
    增强型MOSFET
    800mW
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    54m Ω @ 2.5A, 4.5V
    1.3V @ 1mA
    370pF @ 10V
    5nC @ 4.5V
    15ns
    ±10V
    15 ns
    2.5A
    300mV
    10V
    0.068Ohm
    20V
    300 mV
    820μm
    2.1mm
    1.8mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTHD4N02FT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET 20V 3.9A N-Channel w/3.7A Schottky
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    2.9A Tj
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    260
    40
    8
    -
    增强型MOSFET
    910mW
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    80m Ω @ 2.9A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    300pF @ 10V
    4nC @ 4.5V
    9ns
    ±12V
    9 ns
    3.9A
    -
    12V
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 11 hours ago)
    20V
    C 弯管
    2.7A
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    2.9A
    Schottky Diode (Isolated)
    50 pF
    无铅
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