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首页 全部分类 RV2C001ZPT2L vs DMN26D0UDJ-7

RV2C001ZPT2L备选型号: DMN26D0UDJ-7

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    RV2C001ZPT2L
    ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 0.1A VML1006
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-101, SOT-883
    1006
    SILICON
    100mA Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    2.5Ohm
    BOTTOM
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    3.8 Ω @ 100mA, 4.5V
    1V @ 100μA
    15pF @ 10V
    20V
    ±10V
    100mA
    -1V
    0.1A
    20V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN26D0UDJ-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-963
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    -
    FLAT
    260
    -
    40
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    3 Ω @ 100mA, 4.5V
    1.05V @ 250μA
    14.1pF @ 15V
    20V
    -
    240mA
    -
    0.18A
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    e3
    yes
    Matte Tin (Sn)
    ESD PROTECTION
    300mW
    DMN26D0UDJ
    6
    300mW
    3.8 ns
    7.9ns
    15.2 ns
    10V
    3Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    450μm
    1.05mm
    850μm
    无
    无铅
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