RV2C002UNT2L备选型号: FDY4001CZ
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- 工厂交货时间
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- 包装
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- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 电阻
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 系列
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- 无铅
- MOSFET N-CH 20V 0.18A VML100616 Weeks表面贴装表面贴装SC-101, SOT-8831006180mA Ta150°C TJCut Tape (CT)2013yes活跃1 (Unlimited)EAR991.4Ohm未说明未说明N-Channel2 Ω @ 150mA, 4.5V1V @ 100μA12pF @ 10V20V±10V180mA1V无SVHCROHS3 Compliant-------------
- MOSFET N/P-CH 20V SC89-6-表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-66689200mA 150mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2006-Obsolete1 (Unlimited)----N and P-Channel5 Ω @ 200mA, 4.5V1.5V @ 250μA60pF @ 10V--150mA1V无SVHC符合RoHS标准PowerTrench®20V446mW200mADual625mW1.1nC @ 4.5V13ns13 ns8V-20V逻辑电平门无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN2005LP4K-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | Single N-Channel 20 V 1.5 Ohm Enhancement Mode Transistor-DFN-3 | 对比 |
| NTND31015NZTAG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-XFLGA | MOSFET NFET XLLGA6 20V 200M | 对比 | |
![]() | FDY4001CZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 | 对比 |




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