RV2C010UNT2L备选型号: DMC2700UDM-7
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- 达到SVHC
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 引脚数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 极性/通道类型
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 20V 1A VML100616 Weeks表面贴装表面贴装SC-101, SOT-8831006SILICON1A Ta150°C TJCut Tape (CT)2014活跃1 (Unlimited)3EAR99340mOhmBOTTOM无铅未说明not_compliant未说明R-PBCC-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING470m Ω @ 500mA, 4.5V1V @ 1mA40pF @ 10V20V±8V1A1V1A20V无SVHCROHS3 Compliant---------------------
- Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.34A/1.14A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R17 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-66SILICON1.34A 1.14A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011活跃1 (Unlimited)6EAR99-DUAL鸥翼260-40--增强型MOSFET-N and P-ChannelSWITCHING400m Ω @ 600mA, 4.5V1V @ 250μA60.67pF @ 16V--1.14A-1.34A-无SVHCROHS3 Compliante3yesMatte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD1.12WDMC2700UDM61.12W5.1 ns0.74nC @ 4.5VN-CHANNEL AND P-CHANNEL6V0.4Ohm20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1.3mm3.1mm1.7mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMC2400UV-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 | 对比 |
![]() | DMC2700UDM-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.34A/1.14A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R | 对比 |
![]() | PMR290XN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-75, SOT-416 | MOSFET N-CH 20V 0.97A SOT416 | 对比 |





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