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首页 全部分类 RXH125N03TB1 vs FDS6294

RXH125N03TB1备选型号: FDS6294

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  • 终端
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  • 端子表面处理
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    RXH125N03TB1
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
    20 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    12.5A Ta
    2011
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    未说明
    未说明
    N-Channel
    12m Ω @ 12.5A, 10V
    2.5V @ 1mA
    1000pF @ 10V
    12.7nC @ 5V
    30V
    ±20V
    12.5A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS6294
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
    18 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    1
    2007
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    11.3m Ω @ 13A, 10V
    3V @ 250μA
    1205pF @ 15V
    14nC @ 5V
    -
    ±20V
    13A
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8
    130mg
    SILICON
    PowerTrench®
    e3
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    11.3MOhm
    Tin (Sn)
    30V
    DUAL
    鸥翼
    13A
    Single
    增强型MOSFET
    3W
    9 ns
    SWITCHING
    4ns
    6 ns
    1.8V
    20V
    30V
    50A
    30V
    1.8 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    无铅
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