ON Semiconductor FDS6294
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FDS6294
1807-FDS6294
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
--最小包装量--
FDS6294详情
ON Semiconductor FDS6294重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
18 Weeks
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
引脚数
8
质量
130mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
3W Ta
Turn Off Delay Time
24 ns
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
13A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
11.3MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
30V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
13A
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
3W
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
11.3m Ω @ 13A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1205pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
14nC @ 5V
上升时间
4ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
6 ns
连续放电电流(ID)
13A
阈值电压
1.8V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
50A
双电源电压
30V
栅源电压
1.8 V
高度
1.5mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDS6294拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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