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首页 全部分类 RYM002N05T2CL vs NTHD2102PT1

RYM002N05T2CL备选型号: NTHD2102PT1

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  • 场效应管类型
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
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  • 生命周期状态
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  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率耗散
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • ROHM Semiconductor
    RYM002N05T2CL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 50V 0.2A VMT3
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-723
    SILICON
    200mA Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e2
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Copper (Sn/Cu)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.2 Ω @ 200mA, 4.5V
    800mV @ 1mA
    26pF @ 10V
    8ns
    ±8V
    43 ns
    200mA
    8V
    0.2A
    2.8Ohm
    50V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTHD2102PT1
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    -
    -
    -
    C 弯管
    240
    30
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    58m Ω @ 3.4A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    715pF @ 6.4V
    20ns
    -
    20 ns
    3.4A
    8V
    -
    -
    -8V
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
    8
    no
    -8V
    1.1W
    not_compliant
    -3.4A
    NTHD2102P
    8
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    1.1W
    16nC @ 2.5V
    4.6A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
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