RZF013P01TL备选型号: MCH6663-TL-W
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 最大功率耗散
- 极性/通道类型
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT316 Weeks表面贴装表面贴装3-SMD, Flat LeadSILICON1.3A Ta150°C TJCut Tape (CT)2009e2yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Copper (Sn/Cu)DUAL260103R-PDSO-F3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETP-ChannelSWITCHING260m Ω @ 1.3A, 4.5V1V @ 1mA290pF @ 6V2.4nC @ 4.5V12V±10V1.3A0.26Ohm12VROHS3 Compliant无铅------
- MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH67 Weeks表面贴装表面贴装6-SMD, Flat LeadsSILICON1.8A 1.5A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e6yes活跃1 (Unlimited)6-Tin/Bismuth (Sn/Bi)DUAL---R-PDSO-F6-SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN and P-Channel-188m Ω @ 900mA, 10V2.6V @ 1mA88pF @ 10V2nC @ 10V30V-1.5A0.188Ohm30VROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)800mWN-CHANNEL AND P-CHANNEL1.8AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORLogic Level Gate, 4V Drive
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MCH6663-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-SMD, Flat Leads | MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6 | 对比 | |
| MCH3376-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-SMD, Flat Lead | MOSFET PCH 1.8VDRIVE SERIES | 对比 |


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