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首页 全部分类 S1KW16C-2N vs STTH120L06TV1

S1KW16C-2N备选型号: STTH120L06TV1

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
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  • 箱体转运
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  • 最大浪涌电流
  • 正向电压
  • 相位的数量
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 恢复时间
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Semtech Corporation
    S1KW16C-2N
    Semtech Corporation
    DIODE GEN PURP 16KV 3A
    18 Weeks
    Module
    底座安装
    底座安装
    1998
    Bulk
    活跃
    1 (Unlimited)
    S1KW16
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    1μA @ 16000V
    16V @ 3A
    -55°C~150°C
    16000V
    3A
    16kV
    3A
    2 μs
    1 Pair Series Connection
    Non-RoHS Compliant
    -
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    -
  • STMicroelectronics
    STTH120L06TV1
    STMicroelectronics
    DIODE MODULE 600V 60A ISOTOP
    31 Weeks
    ISOTOP
    底座安装
    Chassis Mount, Panel, Screw
    -
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    STTH120
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    50μA @ 600V
    1.55V @ 60A
    150°C Max
    -
    -
    600V
    60A
    105 ns
    2 Independent
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    4
    SILICON
    2
    4
    EAR99
    NICKEL
    150°C
    -55°C
    高压超快恢复
    自由旋转二极管
    600V
    UPPER
    UNSPECIFIED
    120A
    4
    Dual
    ISOLATED
    60A
    500A
    1.55V
    1
    50μA
    600V
    500A
    600V
    500A
    70 ns
    25.5mm
    38.2mm
    9.1mm
    无
    无SVHC
    无铅
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