S25FS256SAGNFI000备选型号: S25FL256SAGNFI003
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- 串行总线类型
- 耐力
- 写入周期时间 - 最大值
- 数据保持时间
- 写入保护
- 环境温度范围高
- 高度
- Flash Memory 256Mb, 1.8V, 133Mzh MirrorBit SPI Flash13 WeeksTin表面贴装表面贴装8-WDFN Exposed Pad8Non-Volatile-40°C~85°C TATrayFS-S2016活跃3 (168 Hours)81.7V~2VDUAL11.8V1.27mm1.8V2V1.7VSPI, Serial256Mb 32M x 8133MHz8 nsFLASHSPI - Quad I/O, QPI64MX44256 Mb26mm无ROHS3 Compliant-----------------
- IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON13 Weeks-表面贴装表面贴装8-WDFN Exposed Pad8Non-Volatile-40°C~85°C TATape & Reel (TR)FL-S2015活跃3 (168 Hours)82.7V~3.6VDUAL13V1.27mm-3.6V2.7VSPI256Mb 32M x 8133MHz8 nsFLASHSPI - Quad I/O64MX44256 Mb2-无ROHS3 CompliantIT ALSO CONFIGURED AS 256M X 13/3.3V90mA8b1b0.0001ASERIALSynchronous1b3VSPI100000 Write/Erase Cycles500ms20HARDWARE/SOFTWARE85°C800μm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| S25FL256SAGNFI011 | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 8-WDFN Exposed Pad | NOR Flash Serial-SPI 3V/3.3V 256Mbit 256M x 1bit 8ns 8-Pin WSON EP Tube | 对比 | |
![]() | MT25QL256ABA1EW7-0SIT | Micron Technology Inc. | 存储器 | 8-WDFN Exposed Pad | NOR Flash Serial-SPI 3V/3.3V 256M-bit 32M x 8 8-Pin W-PDFN EP T/R/Tray | 对比 |
| S25FL256SAGNFI003 | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 8-WDFN Exposed Pad | IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON | 对比 |



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