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首页 全部分类 S29AL008J70BAI010 vs S29AS016J70BFI040

S29AL008J70BAI010备选型号: S29AS016J70BFI040

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  • 引导模块
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 辐射硬化
  • Cypress Semiconductor Corp
    S29AL008J70BAI010
    Cypress Semiconductor Corp
    IC FLASH 8M PARALLEL 48FBGA
    18 Weeks
    表面贴装
    48-VFBGA
    48
    48-FBGA (8.15x6.15)
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    AL-J
    2015
    活跃
    3 (168 Hours)
    85°C
    -40°C
    2.7V~3.6V
    Parallel
    8Mb 1M x 8 512K x 16
    70ns
    FLASH
    Parallel
    70ns
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    S29AS016J70BFI040
    Cypress Semiconductor Corp
    CYPRESS SEMICONDUCTOR - S29AS016J70BFI040 - Flash Memory, Parallel NOR, 16 Mbit, 2M x 8bit, CFI, Parallel, FBGA, 48 Pins
    13 Weeks
    表面贴装
    48-VFBGA
    48
    -
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    AS-J
    2010
    活跃
    3 (168 Hours)
    -
    -
    1.8V
    -
    16Mb 2M x 8 1M x 16
    -
    FLASH
    Parallel
    70ns
    ROHS3 Compliant
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    12mA
    48
    EAR99
    底部启动区块
    8542.32.00.51
    BOTTOM
    260
    1
    0.8mm
    30
    8b
    1MX16
    16
    20b
    16 Mb
    70 ns
    Asynchronous
    8
    1.95V
    1.65V
    BOTTOM
    8.15mm
    1mm
    无
  • 添加型号
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